格氏李斯特菌脉冲磁场杀菌效果研究

摘要: 以自行研制的脉冲磁场杀菌设备对格氏李斯特菌进行杀菌实验,研究了格氏李斯特菌的生长时期、脉冲磁场参数（强度、脉冲数）,介质参数（温度、Na+浓度、p H）等对脉冲磁场杀菌效果的影响。结果表明:格氏李斯特菌在对数生长中期对脉冲磁场最为敏感;脉冲磁场对格氏李斯特菌的杀菌效果产生生物学窗口效应,不同的磁场强度杀菌时,2.5T和4.0T残留率出现谷值;不同的脉冲数杀菌时,25个脉冲数残留率达到谷值;当介质温度为30℃时,残留率最低,较低或较高温度的介质中,杀菌效果较差;Na+对脉冲磁场的杀菌效果有一定的协同作用;较低或者较高的p H促进了脉冲磁场的杀菌作用,p H为9.0时残留率最低;对2.5T,25个脉冲数处理的格氏李斯特菌进行扫描电镜观察时发现菌体细胞膜破裂,胞内物质外溢,这可能是脉冲磁场造成格氏李斯特菌死亡的原因。